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FGH15T120SMD分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

FGH15T120SMD
厂商型号

FGH15T120SMD

参数属性

FGH15T120SMD 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 30A 333W TO247-3

功能描述

1200 V, 15 A Field Stop Trench IGBT

封装外壳

TO-247-3

文件大小

257 Kbytes

页面数量

9

生产厂商

FAIRCHILD Fairchild Semiconductor

中文名称

仙童半导体 飞兆/仙童半导体公司

网址

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更新时间

2025-8-8 23:00:00

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FGH15T120SMD规格书详情

General Description

Using innovative field stop trench IGBT technology, Fairchild’s new series of field stop trench IGBTs offer the optimum performance for hard switching application such as solar inverter, UPS, welder and PFC applications.

特性 Features

• FS Trench Technology, Positive Temperature Coefficient

• High Speed Switching

• Low Saturation Voltage: VCE(sat) =1.8 V @ IC= 15 A

• 100 of The Parts Tested for ILM

• High Input Impedance

•RoHS Compliant

Applications

• Solar Inverter, Welder, UPS & PFC Applications.

产品属性

  • 产品编号:

    FGH15T120SMD-F155

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.4V @ 15V,15A

  • 开关能量:

    1.15mJ(开),460µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    32ns/490ns

  • 测试条件:

    600V,15A,34 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 1200V 30A 333W TO247-3

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