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FGH30N120FTD分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

FGH30N120FTD
厂商型号

FGH30N120FTD

参数属性

FGH30N120FTD 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 60A 339W TO247

功能描述

Field stop trench technology

封装外壳

TO-247-3

文件大小

588.2 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

FAIRCHILD仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
FAIRCHILD
数据手册

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更新时间

2025-8-4 23:00:00

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FGH30N120FTD规格书详情

General Description

Using advanced field stop trench technology, Fairchild’s 1200V trench IGBTs offer superior conduction and switching performances, and easy parallel operation with exceptional avalanche ruggedness. This device is designed for soft switching applications.

特性 Features

• Field stop trench technology

• High speed switching

• Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.6V @ IC = 30A

• High input impedance

• RoHS compliant

Applications

• Induction heating and Microwave oven

• Soft switching applications

产品属性

  • 产品编号:

    FGH30N120FTDTU

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,30A

  • 输入类型:

    标准

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 1200V 60A 339W TO247

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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