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IXTY3N60P	文件：234.48 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTY-3N60P	文件：234.48 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated	IXYS IXYS Corporation	IXYS
KEMF3N60	文件：1.64437 Mbytes Page：6 Pages	600VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KF3N60D	文件：87.56 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=600V,ID=2.3A •D	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF3N60D	文件：1.01371 Mbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=600V,ID=2.3A •D	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF3N60D	文件：1.07623 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
KF3N60D/I	文件：1.01371 Mbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=600V,ID=2.3A •D	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF3N60DI	文件：1.01371 Mbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=600V,ID=2.3A •D	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF3N60DSLASHI	文件：1.01371 Mbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=600V,ID=2.3A •D	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF3N60F	文件：97.51 Kbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=600V,ID=3A •Dra	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC

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产品属性

产品编号：
FGD3N60LSDTM
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.5V @ 10V，3A
开关能量：
250µJ（开），1mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
40ns/600ns
测试条件：
480V，3A，470 欧姆，10V
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
TO-252AA
描述：
IGBT 600V 6A 40W DPAK

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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