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FGD3N60LSDTM	文件：848.49 Kbytes Page：8 Pages	IGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGD3N60LSDTM	文件：872.7 Kbytes Page：8 Pages	IGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGD3N60LSDTM	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 6A 40W DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGD3N60UNDF	文件：1.036569 Mbytes Page：10 Pages	UsingadvancedNPTIGBTtechnology,Fairchild짰?셲theNPTvIGBTsoffertheoptimumperformanceforlow-powerinverterdrivenapplicationswherelow-lossesandshort-circuitruggednessfeaturesareessential.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQB3N60	文件：581.81 Kbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQB3N60	文件：660.97 Kbytes Page：4 Pages	ThisN-channelMOSFETSuseadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(on)withlowgatecharge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
FQB3N60C	文件：753.45 Kbytes Page：8 Pages	600VN-ChannelMOSFET Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhig	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQB3N60C	文件：869.48 Kbytes Page：8 Pages	600VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQB3N60CTM	文件：869.48 Kbytes Page：8 Pages	600VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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产品属性

产品编号：
FGD3N60LSDTM
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.5V @ 10V，3A
开关能量：
250µJ（开），1mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
40ns/600ns
测试条件：
480V，3A，470 欧姆，10V
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
TO-252AA
描述：
IGBT 600V 6A 40W DPAK

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