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FGD3N60LSD中文资料PDF规格书

FGD3N60LSD
厂商型号

FGD3N60LSD

参数属性

FGD3N60LSD 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 600V 6A 40W DPAK

功能描述

IGBT

文件大小

872.7 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

Fairchild仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-23 17:09:00

产品属性

  • 产品编号:

    FGD3N60LSDTM

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.5V @ 10V,3A

  • 开关能量:

    250µJ(开),1mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    40ns/600ns

  • 测试条件:

    480V,3A,470 欧姆,10V

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    TO-252AA

  • 描述:

    IGBT 600V 6A 40W DPAK

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
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