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FGD2736G3_F085分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

FGD2736G3_F085
厂商型号

FGD2736G3_F085

参数属性

FGD2736G3_F085 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT ECOSPARK1 IGN TO252

功能描述

N-Channel Ignition IGBT
IGBT ECOSPARK1 IGN TO252

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

文件大小

990.96 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-1 23:00:00

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FGD2736G3_F085规格书详情

FGD2736G3_F085属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由安森美半导体公司制造生产的FGD2736G3_F085晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    FGD2736G3-F085V

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK®

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.65V @ 4.5V,10A

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    900ns/4.4µs

  • 测试条件:

    300V,6.5A,470 欧姆,5V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    DPAK

  • 描述:

    IGBT ECOSPARK1 IGN TO252

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