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FGD3040G2-F085V分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

FGD3040G2-F085V
厂商型号

FGD3040G2-F085V

参数属性

FGD3040G2-F085V 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:ECOSPARK2 300MJ 400V N-

功能描述

EcoSPARK 2 Ignition IGBT 300 mJ, 400 V, N-Channel Ignition IGBT
ECOSPARK2 300MJ 400V N-

丝印标识

FGD3040G2

封装外壳

DPAK / TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

文件大小

723.28 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-4 15:16:00

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FGD3040G2-F085V规格书详情

FGD3040G2-F085V属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由安森美半导体公司制造生产的FGD3040G2-F085V晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

特性 Features

• SCIS Energy = 300 mJ at TJ = 25°C

• Logic Level Gate Drive

• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable

• RoHS Compliant

Applications

• Automotive Ignition Coil Driver Circuits

• Coil on Plug Application

产品属性

更多
  • 产品编号:

    FGD3040G2-F085V

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK®

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.25V @ 4V,6A

  • 输入类型:

    逻辑

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    0.9µs/4.8µs

  • 测试条件:

    300V,6.5A,1000 欧姆,5V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    D-PAK(TO-252)

  • 描述:

    ECOSPARK2 300MJ 400V N-

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