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FGP20N60UFD	文件：746.29 Kbytes Page：9 Pages	600V,20AFieldStopIGBT GeneralDescription UsingNovelFieldStopIGBTTechnology,Fairchild’snewseriesofFieldStopIGBTsoffertheoptimumperformanceforInductionHeating,UPS,SMPSandPFCapplicationswherelowconductionandswitchinglossesareessential. Features •Highcurrentcapability •Low	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGP20N60UFDTU	文件：746.29 Kbytes Page：9 Pages	600V,20AFieldStopIGBT GeneralDescription UsingNovelFieldStopIGBTTechnology,Fairchild’snewseriesofFieldStopIGBTsoffertheoptimumperformanceforInductionHeating,UPS,SMPSandPFCapplicationswherelowconductionandswitchinglossesareessential. Features •Highcurrentcapability •Low	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FIR20N60AFG	文件：2.33058 Mbytes Page：8 Pages	600VN-ChannelMOSFET-T	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
FIR20N60FG	文件：4.36088 Mbytes Page：10 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
FML20N60	文件：787.87 Kbytes Page：7 Pages	20Amps600VoltageNChannelMOSFET	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI
FQP20N60	文件：450.02 Kbytes Page：6 Pages	600V,20AN-ChannelMOSFET	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
FQPF20N60	文件：450.02 Kbytes Page：6 Pages	600V,20AN-ChannelMOSFET	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
FTW20N60A	文件：54.71 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancement InPowerProductLines	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
G20N60	文件：364.5 Kbytes Page：12 Pages	FastIGBTinNPT-technology75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
G20N60HS	文件：426.22 Kbytes Page：11 Pages	HighSpeedIGBTinNPT-technology HighSpeedIGBTinNPT-technology •30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedforoperationabove30kHz •NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -parallelswitchingcapability -moderateEoffincreasewithtemperature -	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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详细参数

型号：
FGB20N60SF
功能描述：
IGBT 晶体管 600V, 20A Field Stop IGBT
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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