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FFSPF0865A数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF

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厂商型号

FFSPF0865A

参数属性

FFSPF0865A 封装/外壳为TO-220-2 整包;包装为管件;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:650V 8A SIC SBD

功能描述

SiC 二极管,650V,8A,TO-220FP-2
650V 8A SIC SBD

封装外壳

TO-220-2 整包

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 23:00:00

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FFSPF0865A规格书详情

描述 Description

Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology thatprovides superior switching performance and higher reliability to silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermalperformance sets Silicon Carbide as the next generation of power semiconductor. System benefits include highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost. Llew

特性 Features

• Max Junction Temperature 175 °C
• High Surge Current Capacity
• Positive Temperature Coefficient
• No Reverse Recovery / No Forward Recovery

应用 Application

• PFC
• Industrial Power
• Solar
• EV Charger
• UPS
• Welding

简介

FFSPF0865A属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的FFSPF0865A二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :FFSPF0865A

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Device Grade

    :Commercial

  • Configuration

    :Single

  • VRRM (V)

    :650

  • IF(ave) (A)

    :8

  • VF (Max)

    :1.75

  • IR (Max) (µA)

    :200

  • Package Type

    :TO-220 FP/TO-220F-2FS

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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