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FFSP20120A

SiliconCarbideSchottkyDiode

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

FST20120

DualSchottkyBarrierRectifiers

EIC

EIC discrete Semiconductors

FST20120

20AMPSCHOTTKYRECTIFIERS

20AmpSchottkyBarrierRectifier •SchottkyBarrierRectifier •Guardringforreverseprotection •2X10AmperesAvg, •Highsurgecapacity •VRRM120-150Volts

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

FST20120

20AMPSCHOTTKYRECTIFIERS

20AmpSchottkyBarrierRectifier •SchottkyBarrierRectifier •Guardringforreverseprotection •2X10AmperesAvg, •Highsurgecapacity •VRRM120-150Volts

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

FSV20120V

Ultra-LowVFSchottkyRectifier,20A,120V

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

GSMBRTL20120

SchottkyBarrierRectifier

FEATURES ·Multi-layerMetal-SiliconPotentialStructure ·LowLeakageCurrent ·HighCurrentCapability,HighEfficiency ·HighJunctionTemperatureCapability

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

HBR20120U

SCHOTTKYBARRIERDIODE

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

HBR20120UB

SCHOTTKYBARRIERDIODE

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

HBR20120UBR

SCHOTTKYBARRIERDIODE

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

HBR20120UHF

SCHOTTKYBARRIERDIODE

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

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