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HY3906	文件：540.13 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. 华羿微电华羿微电子股份有限公司	HUAYI
HY3906A	文件：723.71 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. 华羿微电华羿微电子股份有限公司	HUAYI
HY3906B	文件：540.13 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. 华羿微电华羿微电子股份有限公司	HUAYI
HY3906P	文件：540.13 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. 华羿微电华羿微电子股份有限公司	HUAYI
HY3906W	文件：723.71 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. 华羿微电华羿微电子股份有限公司	HUAYI
KMBT3906	文件：71.29 Kbytes Page：2 Pages	PNPTransistors Features ●ComplementarytoMMBT3904 ●Marking:2A	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
KN3906	文件：205.98 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,SWITCHING) GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •LowLeakageCurrent :ICEX=-50nA(Max.),@VCE=-30V,VEB=-3V. •LowSaturationVoltage :VCE(sat)=-0.4V(Max.)@IC=-50mA,IB=-5mA. •ComplementarytoKN3904.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KN3906	文件：28.11 Kbytes Page：1 Pages	TO-92PACKAGE	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KN3906S	文件：196.58 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,SWITCHING) GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •LowLeakageCurrent :ICEX=-50nA(Max.);@VCE=-30V,VEB=-3V. •LowSaturationVoltage :VCE(sat)=-0.4V(Max.);IC=-50mA,IB=-5mA. •ComplementarytotheKN3904S.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KN3906S	文件：355.23 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC

详细参数

型号：
FFB3906_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP Multi-Chip Trans General Purpose
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多FFB3906_Q供应商更新时间2025-7-27 17:30:00

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