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HCMS-3906	文件：123 Kbytes Page：22 Pages	3.3VHighPerformanceCMOS5x7AlphaNumericDisplays	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
HCMS-3906	文件：454.85 Kbytes Page：22 Pages	3.3VHighPerformanceCMOS5x7AlphaNumericDisplays	AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 安华高	AVAGO
HCN3906	文件：307.4 Kbytes Page：4 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTOR	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH
HDSP-3906	文件：122.24 Kbytes Page：10 Pages	20mm(0.8inch)SevenSegmentDisplays Description The20mm(0.8inch)LEDsevensegmentdisplaysaredesignedforviewingdistancesupto10metres(33feet).Thesedevicesuseanindustrystandardsizepackageandpinout.Alldevicesareavailableaseithercommonanodeorcommoncathode. Thesedisplaysareidealformostapplicat	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
HDSP-3906	文件：185.83 Kbytes Page：8 Pages	20mm(0.8inch)SevenSegmentDisplays Description The20mm(0.8inch)LEDsevensegmentdisplaysaredesignedforviewingdistancesupto10metres(33feet).Thesedevicesuseanindustrystandardsizepackageandpinout.Alldevicesareavailableaseithercommonanodeorcommoncathode. Thesedisplaysareidealformostapplicat	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
HDSP-3906	文件：495.9 Kbytes Page：9 Pages	SevenSegmentDisplaysforHighLightAmbientConditions	AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 安华高	AVAGO
HM3906	文件：31.94 Kbytes Page：3 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheHM3906isdesignedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications.	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
HMBT3906	文件：30.75 Kbytes Page：3 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheHMBT3906isdesignedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications.	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
HN3906	文件：171.48 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconExpitaxialPlanarTransistorforswitchingandamplifierapplications?	SEMTECHSemtech Corporation 升特	SEMTECH
HX3906	文件：241.71 Kbytes Page：1 Pages	PNPSILICONTRANSISTOR APPLICATIONS SmallSignalAmplifier；HighFrequencyoscillator；SwitchingApplications. (complementToH3904)	HuashanSHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD 华汕电子器件汕头华汕电子器件有限公司	Huashan

详细参数

型号：
FFB3906_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP Multi-Chip Trans General Purpose
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多FFB3906_Q供应商更新时间2025-7-27 17:30:00

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