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FF400R33KF2C数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF

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厂商型号

FF400R33KF2C

参数属性

FF400R33KF2C 封装/外壳为模块;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MOD 3300V 660A 4800W

功能描述

IGBT模块
IGBT MOD 3300V 660A 4800W

封装外壳

模块

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 15:36:00

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FF400R33KF2C规格书详情

描述 Description

IHV A 3300 V, 400 A 130 mm dual IGBT Module with IGBT2 and Emitter Controlled diode - The experienced solution for traction and industry applications.
Also available as 200 A half bridge module: FF200R33KF2C

特性 Features

• High reliability and robust module construction

优势:
• High power density for compact inverter designs
• Standardized housing

简介

FF400R33KF2C属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的FF400R33KF2C晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :FF400R33KF2C

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Green

    :no

  • Halogen-free

    :no

  • Voltage Class

    :3300 V

  • Configuration

    :Dual

  • Technology

    :IGBT2

  • IC(nom) / IF(nom)

    :400 A

  • OPN

    :FF400R33KF2CNOSA1

  • VCE(sat) Tvj=25°C typ

    :3.4 V

  • VF Tvj=25°C typ

    :2.8 V

  • Qualification

    :Industrial/Traction

  • Housing

    :IHV

  • Dimensions length

    :130 mm

  • Dimensions width

    :140 mm

  • Package name

    :A-IHV130

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