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FF400R12KT3数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF

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厂商型号

FF400R12KT3

参数属性

FF400R12KT3 封装/外壳为模块;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MOD 1200V 580A 2000W

功能描述

IGBT模块
IGBT MOD 1200V 580A 2000W

封装外壳

模块

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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FF400R12KT3规格书详情

描述 Description

半桥 62 mm 1200 V, 400 A 双管 IGBT 模块,采用第三代高速 TRENCHSTOP™ IGBT和优化的发射极控制高效二极管,是您设计的理想选择。
也可提供采用共发射极的型号:FF400R12KT3_E

特性 Features

• 变频逆变器的出色解决方案
• UL/CSA 认证,以及 UL1557 E83336
• 工作温度不超过 125°C (最高 150°C )
• 优化开关特征,例如,柔软特性和降低开关损耗
• 现有封装具有更高的电流能力
• 符合RoHS

优势:
• 灵活性
• 优化的电气性能
• 高可靠性

简介

FF400R12KT3属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的FF400R12KT3晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :FF400R12KT3

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Green

    :yes

  • Halogen-free

    :no

  • Voltage Class

    :1200 V

  • Configuration

    :Dual

  • Technology

    :IGBT3 - T3

  • IC(nom) / IF(nom)

    :400 A

  • OPN

    :FF400R12KT3HOSA1

  • VCE(sat) Tvj=25°C typ

    :1.7 V

  • VF Tvj=25°C typ

    :1.65 V

  • Qualification

    :Industrial

  • Housing

    :62 mm

  • Dimensions length

    :106.4 mm

  • Dimensions width

    :61.4 mm

  • Package name

    :AG-62MM

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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