FF300R12ME4中文资料IGBT模块数据手册Infineon规格书

描述 Description

EconoDUAL™ 3 1200 V, 300 A half-bridge dual IGBT module with low sat and fast TRENCHSTOP™ IGBT4, Emitter Controlled HE diode and NTC. Also available as variation with PressFIT mounting technology: FF300R12ME4_B11

特性 Features

• Low VCEsat
• Tvj op = 150°C
• Standard housing

优势:
• Compact modules
• Easy and most reliable assembly
• No plugs and cables required
• Ideal for low inductive system designs

简介

FF300R12ME4属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的FF300R12ME4晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作电子开关，兼具高效率和快速切换优点。作为模块，IGBT 配置为非对称式桥； 升压、降压和制动斩波器；全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。