FF1200R12KE3数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF

描述 Description

1200V IHM 130mm Dual IGBT Module with Trench IGBT3 - The best solution for your industry applications

特性 Features

• Low V(cesat)
• Trench IGBT 3
• Package with CTI > 400
• Copper Base Plate
• UL recognised

优势:
• High power density for compact inverter designs
• Standardized housing

简介

FF1200R12KE3属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的FF1200R12KE3晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作电子开关，兼具高效率和快速切换优点。作为模块，IGBT 配置为非对称式桥； 升压、降压和制动斩波器；全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。