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FF1000UXTR23T2M1_B5	文件：811.66 Kbytes Page：18 Pages	XHP™2 module with CoolSiC™ Trench MOSFET Features • Electrical features - VDSS = 2300 V - IDN = 2000 A / IDRM = 4000 A - High current density - Low inductive design - Low switching losses - Tvj,op = 175°C • Mechanical features - AlN substrate with low thermal resistance - AlSiC base plate for increased thermal cycling capabilit 文件：811.66 Kbytes 页数：18 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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FF100R12RT4	文件：0 bytes Page：0 Pages	标准封装	英飞凌 Infineon 上传：苏州银邦电子科技有限公司	英飞凌 Infineon
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更多FF1000UXTR23T2M1_B5供应商更新时间2025-12-4 16:09:00