FF1000UXTR23T2M1_B5中文资料英飞凌数据手册PDF规格书

厂商型号	FF1000UXTR23T2M1_B5
功能描述	XHP™2 module with CoolSiC™ Trench MOSFET
文件大小	811.66 Kbytes
页面数量	18 页
生产厂商	Infineon
中文名称	英飞凌
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更新时间	2025-12-6 16:31:00
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特性 Features

• Electrical features

- VDSS = 2300 V

- IDN = 2000 A / IDRM = 4000 A

- High current density

- Low inductive design

- Low switching losses

- Tvj,op = 175°C

• Mechanical features

- AlN substrate with low thermal resistance

- AlSiC base plate for increased thermal cycling capability

- High creepage and clearance distances

- High power density

- Package with CTI > 600

Potential applications

• Traction

• High-power converters

• High-frequency switching application

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