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FDZ3N513ZT数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDZ3N513ZT

功能描述

30V 集成式 NMOS 和肖特基二极管

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 17:10:00

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FDZ3N513ZT规格书详情

描述 Description

FDZ3N513ZT是一款单片NMOS/肖特基组合(FETky),经设计和布线作为移动LED背光应用中的非连续导通模式(DCM)升压LED传动系。

特性 Features

单片NMOS和肖特基二极管
超小尺寸1mm x 1mm WLCSP封装
VGS = 4.5 V,ID = 0.3 A时,最大rDS(on) = 462 mΩ
VGS = 3.2 V,ID = 0.3 A时,最大rDS(on) = 520 mΩ
HBM静电放电保护等级为>2000V(注3)
符合 RoHS 标准

应用 Application

This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDZ3N513ZT

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :Pb-freeHalide free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : 30V Integrated NMOS and Schottky Diode 

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :with Schottky Diode

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :5.5

  • VGS(th) Max (V)

    :1.5

  • ID Max (A)

    :1.1

  • PD Max (W)

    :1

  • GS = 2.5 V\ style=\cursor:help\>RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    : 

  • GS = 4.5 V\ style=\cursor:help\>RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :462

  • GS = 10 V\ style=\cursor:help\>RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :1

  • GS = 4.5 V\ style=\cursor:help\>Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :1

  • GS = 10 V\ style=\cursor:help\>Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :1

  • Ciss Typ (pF)

    :45

  • Package Type

    :WLCSP-4

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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