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ISCNL262D

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

JL262A

Aruba2930F48GPoE4SFPSwitch

ROUTER-SWITCH

Router-switch Ltd.

KDV262

VARIABLECAPACITANCEDIODESILICONEPITAXIALPLANARDIODE(CATVTUNING)

KECKEC CORPORATION

KEC株式会社

KDV262

SiliconEpitaxialPlanarDiode

Features ●HighCapacitanceRatio:C2V/C25V=12.5(Typ.) ●LowSeriesResistance:rs=0.6Ω(Typ.) ●ExcellentC-VCharacteristics,andSmallTrackingError. ●UsefulforSmallSizeTuner.

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

KDV262

SILICONEPITAXIALPLANARDIODE

KECKEC CORPORATION

KEC株式会社

KDV262E

VARIABLECAPACITANCEDIODESILICONEPITAXIALPLANARDIODE(CATVTUNING)

KECKEC CORPORATION

KEC株式会社

KDV262E

SILICONEPITAXIALPLANARDIODE

KECKEC CORPORATION

KEC株式会社

KPEG262

PiezoAudioIndicator

KINGSTATEKingstate Electronics Corp.

志丰电子志丰电子股份有限公司

KSG-262

Photointerrupter(Transmissive)

DESCRIPTION combineshigh-outputGaAsIREDwithhighsensitivephototransistor,TheKSG-262photointerrupterishigh-performancestandardtype,Compactsize. FEATURES •Screw-mounttype •GAP:2.0mm •Compact •Widelyapplicable APPLICATIONS •Floppydiskdrives •CD-ROMdrives •Prin

KODENSHIKODENSHI_AUK CORP.

可天士可天士光电子集团

LA262B-G-PF

LEDARRAY

LIGITEK

Ligitek electronic

详细参数

  • 型号:

    FDW262P

  • 功能描述:

    MOSFET 20V PCh MOSFET Power Trench

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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全新原装现货热卖/代理品牌/可申请样品和规格书
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更多FDW262P供应商 更新时间2025-6-4 16:07:00