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HW262	文件：892.97 Kbytes Page：1 Pages	1/2WATTMETAL	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
HW262	文件：929.88 Kbytes Page：1 Pages	1/2WATTMETAL	NTE NTE Electronics	NTE
ICX262	文件：387.59 Kbytes Page：35 Pages	TimingGeneratorforFrameReadoutCCDImageSensor Description TheCXD2497RisatiminggeneratorICwhichgeneratesthetimingpulsesforperformingframereadoutusingtheICX252,ICX262CCDimagesensor. Features •Baseoscillationfrequency24to36MHz •High-speed/low-speedshutterfunction •Draft(sextuplespeed)/AF(autof	SonySony Semiconductor Solutions Group 索尼	Sony
ICX262	文件：384.2 Kbytes Page：46 Pages	TimingGeneratorandSignalProcessorforFrameReadoutCCDImageSensor Description TheCXD3406GAisatiminggeneratorandCCDsignalprocessorICfortheICX252/262CCDimagesensor. Features •Timinggeneratorfunctions •Horizontaldrivefrequency12to18MHz (Baseoscillationfrequency24to36MHz) •Supportsframereadout/draft(sextuplespee	SonySony Semiconductor Solutions Group 索尼	Sony
ICX262AQ	文件：424.37 Kbytes Page：30 Pages	Diagonal8.933mm(Type1/1.8)FrameReadoutCCDImageSensorwithSquarePixelforColorCameras	SonySony Semiconductor Solutions Group 索尼	Sony
ICX262AQF	文件：427.84 Kbytes Page：30 Pages	Diagonal8.933mm(Type1/1.8)FrameReadoutCCDImageSensorwithSquarePixelforColorCameras	SonySony Semiconductor Solutions Group 索尼	Sony
IL262E	文件：799.35 Kbytes Page：17 Pages	HighSpeedFive-ChannelDigitalIsolators Features •HighSpeed:110Mbps •1.2mA/channeltypicalquiescentcurrent •Veryhighisolation:6kVRMSReinforcedIsolation(VE-Series) •50kV/μstyp.;30kV/μsmin.commonmodetransientimmunity •NocarrierorclockforlowEMIemissionsandsusceptibility •−40to85°Coperatingtem	NVE NVE Corporation	NVE
IL262V	文件：821.36 Kbytes Page：15 Pages	HighIsolationVoltageDigitalIsolators Features •5000VRMS/7072VPKisolationvoltage(1minute;perUL1577) •1000VRMS/1415VPKworkingvoltage(VIORM)underVDE0884-10 •10kVRMSsurgevoltageunderVDE0884-10 •Hightemperature:−40°Cto+125°C •50kV/μstyp.;30kV/μsmin.commonmodetransientimmunity •Nocarrierorcl	NVE NVE Corporation	NVE
IL262VE	文件：799.35 Kbytes Page：17 Pages	HighSpeedFive-ChannelDigitalIsolators Features •HighSpeed:110Mbps •1.2mA/channeltypicalquiescentcurrent •Veryhighisolation:6kVRMSReinforcedIsolation(VE-Series) •50kV/μstyp.;30kV/μsmin.commonmodetransientimmunity •NocarrierorclockforlowEMIemissionsandsusceptibility •−40to85°Coperatingtem	NVE NVE Corporation	NVE
IS262	文件：157.4 Kbytes Page：1 Pages	1Wepoxysealtype	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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详细参数

型号：
FDW262P
功能描述：
MOSFET 20V PCh MOSFET Power Trench
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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