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FDS9934C中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

FDS9934C

功能描述

Complementary

文件大小

166.89 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

FAIRCHILD

中文名称

仙童半导体

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数据手册

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更新时间

2026-1-30 9:36:00

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FDS9934C规格书详情

These dual N- and P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize on-state ressitance and yet maintain superior switching performance.

These devices are well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.

特性 Features

· Q1: 6.5 A, 20 V. RDS(ON) = 30 mW @ VGS = 4.5 V

RDS(ON) = 43 mW @ VGS = 2.5 V.

· Q2: –5 A, –20 V, RDS(ON) = 55 mW @ VGS = –4.5 V

RDS(ON) = 90 mW @ VGS = –2.5 V

产品属性

  • 型号:

    FDS9934C

  • 功能描述:

    MOSFET 20V Complementary PowerTrench

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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