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FDS9412中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书

FDS9412
厂商型号

FDS9412

功能描述

Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

230.81 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

FAIRCHILD仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 23:01:00

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FDS9412规格书详情

General Description

This N-Channel Logic Level MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.

特性 Features

• 7.9 A, 30 V. RDS(ON) = 22 mΩ @ VGS = 10 V

RDS(ON) = 36 mΩ @ VGS = 4.5 V

• Very low gate charge.

• High switching speed

• High performance trench technology for extremely

low RDS(ON)

• High power and current handling capability in a

widely used surface mount package.

产品属性

  • 型号:

    FDS9412

  • 功能描述:

    MOSFET SO-8 SGL N-CH 30V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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