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厂商型号

FDS6892A

功能描述

Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench® MOSFET

丝印标识

FDS6892A

文件大小

180.75 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

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数据手册

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更新时间

2025-11-1 23:00:00

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FDS6892A规格书详情

General Description

These N-Channel Logic Level MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.

These devices are well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.

特性 Features

· 7.5 A, 20 V. RDS(ON) = 18 mW @ VGS = 4.5 V RDS(ON) = 24 mW @ VGS = 2.5 V

· Low gate charge (12 nC)

· High performance trench technology for extremely low RDS(ON)

· High power and current handling capability

产品属性

  • 型号:

    FDS6892A

  • 功能描述:

    MOSFET SO-8

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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