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FDS6875中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

FDS6875

功能描述

Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET

文件大小

194.65 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

FAIRCHILD

中文名称

仙童半导体

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数据手册

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更新时间

2026-2-9 23:00:00

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FDS6875规格书详情

General Description

These P-Channel 2.5V specified MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductors advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance.

These devices are well suited for portable electronics applications: load switching and power management, battery charging and protection circuits.

特性 Features

■ -6 A, -20 V.

RDS(ON) = 0.030 W @ VGS = -4.5 V,

RDS(ON) = 0.040 W @ VGS = -2.5 V.

■ Low gate charge (23nC typical).

■ High performance trench technology for extremely low RDS(ON).

■ High power and current handling capability.

产品属性

  • 型号:

    FDS6875

  • 功能描述:

    MOSFET SO-8 DUAL P-CH -20V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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