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HY18N50W	文件：299.99 Kbytes Page：4 Pages	500V/18AN-ChannelEnhancementModeMOSFET	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
IRFB18N50K	文件：2.68732 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET 1.LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement 2.ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness 3.FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent 4.LowRDS(on) 5.Lead(Pb)-freeAvailable	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFB18N50K	文件：165.06 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFB18N50K	文件：83.79 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)max=0.26ohm,Id=27A) Applications 1.SwitchModePowerSupply(SMPS) 2.UninterruptiblePowerSupply 3.HighSpeedPowerSwitching 4.HardSwitchedandHighFrequencyCircuits	IRF International Rectifier	IRF
IRFB18N50K	文件：176.62 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFB18N50K	文件：372.57 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=17A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.29Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFB18N50KPBF	文件：2.68732 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET 1.LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement 2.ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness 3.FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent 4.LowRDS(on) 5.Lead(Pb)-freeAvailable	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
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IRFB18N50KPBF	文件：173.46 Kbytes Page：8 Pages	SMPSMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
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详细参数

型号：
FDPF18N50T
功能描述：
MOSFET 500V N-Channel PowerTrench MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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