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LMC6035	文件：1.66724 Mbytes Page：29 Pages	LMC6035/LMC6035-Q1/LMC6036LowPower2.7VSingleSupplyCMOSOperationalAmplifiers	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
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LMC6035IBP	文件：792.91 Kbytes Page：20 Pages	LowPower2.7VSingleSupplyCMOSOperationalAmplifiers	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMC6035IBPX	文件：792.91 Kbytes Page：20 Pages	LowPower2.7VSingleSupplyCMOSOperationalAmplifiers	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMC6035IM	文件：792.91 Kbytes Page：20 Pages	LowPower2.7VSingleSupplyCMOSOperationalAmplifiers	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMC6035IM	文件：1.58633 Mbytes Page：29 Pages	LMC6035/LMC6035-Q1/LMC6036LowPower2.7VSingleSupplyCMOSOperational	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
LMC6035IM/NOPB	文件：1.66724 Mbytes Page：29 Pages	LMC6035/LMC6035-Q1/LMC6036LowPower2.7VSingleSupplyCMOSOperationalAmplifiers	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
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LMC6035IMM	文件：792.91 Kbytes Page：20 Pages	LowPower2.7VSingleSupplyCMOSOperationalAmplifiers	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC

详细参数

型号：
FDP6035AL_Q
功能描述：
MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FDP6035AL_Q供应商更新时间2025-7-28 17:14:00

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