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HE6035	文件：166.41 Kbytes Page：1 Pages	QuartzSMD,Epoxy	AURIS auris-GmbH	AURIS
HE6035	文件：620.49 Kbytes Page：1 Pages	QuartzSMD	AURIS auris-GmbH	AURIS
ISUM6035	文件：520.37 Kbytes Page：3 Pages	UltrafastSoftRecoveryRectifierDiode FEATURES ·Ultrafastrecoverytime ·LowForwardVoltage ·HighBlockingVoltage ·LowLeakageCurrent APPLICATIONS ·SnubberDiode ·InductionHeating ·UninterruptiblePowerSupply(UPS) ·HighSpeedRectifier	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ITS6035S-EP-K	文件：3.38537 Mbytes Page：68 Pages	35mΩsinglechannelsmarthigh-sidepowerswitch Features •Singlechannelsmarthigh-sidepowerswitchwithintegratedprotectionanddiagnosis •MaximumRDS(ON)35mΩatTj=25°C •Overvoltagelockout •Supplyvoltagetoleranceupto60V •Useradjustablecurrentlimitationrangingfrom:3Ato13.2A •Wideoutputcurrentrange •Anal	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
KIA6035	文件：210.66 Kbytes Page：8 Pages	BIPOLARLINEARINTEGRATEDCIRCUIT(AMTUNERSYSTEMFORCARAUDIO) AMTUNERSYSTEMFORCARAUDIO	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KIA6035P	文件：210.66 Kbytes Page：8 Pages	BIPOLARLINEARINTEGRATEDCIRCUIT(AMTUNERSYSTEMFORCARAUDIO) AMTUNERSYSTEMFORCARAUDIO	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KSS6035	文件：259.05 Kbytes Page：1 Pages	QUARTZCRYSTAL Features 6035sizeminiatureSMDcrystalresonatorwithalowprofileof1.00mm. Widefrequencyrangefromacomparativelylow8MHzupto100MHz. Highprecisionandhighfrequencystability. 2Padsor4Pads. Automaticmountingandreflowsoldering. ApplicationsforBluetooth,w	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
LM6035D	文件：803.47 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieidEffectTransistor	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
LM6035IBP	文件：792.91 Kbytes Page：20 Pages	LowPower2.7VSingleSupplyCMOSOperationalAmplifiers	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMC6035	文件：792.91 Kbytes Page：20 Pages	LowPower2.7VSingleSupplyCMOSOperationalAmplifiers	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC

详细参数

型号：
FDP6035AL_Q
功能描述：
MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FDP6035AL_Q供应商更新时间2025-7-26 15:55:00

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