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FAIRCHILDTO-220

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FDP6670AL

FAIRCHILD/仙童TO-220

9850

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深圳市高捷芯城科技有限公司

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FDP6676S

onsemi(安森美)TO-220-3

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ON原装优势现货

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FDP6035L

FAIRCHILD原装TO-220

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FDP6035L

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FAIRCHILD/仙童TO220

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FDP65N06

FAIRCHILDTO-220铁头

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ONTO220

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FAIRCHITO-220

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FAIRCHITO-220

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FAIRCHILDTO-220

30000

25+

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深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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FDP6670AL_NL

FAIRCHILD原厂封装

50000

2023+

原装现货

贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司

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FDP6N60-TU

FSC/JRXTO-220220F

362412

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深圳市科恒伟业电子有限公司

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FDP61N20

FAIRCHILD/仙童TO-220

6540

2450+

只做原厂原装正品终端客户免费申请样品

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FDP6670AL

FAIRCHILD/仙童TO-220

67500

20+

原装优势主营型号-可开原型号增税票

深圳市赛尔通科技有限公司

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FDP6035AL

FAIRCHILDTO-220

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深圳市中联芯电子有限公司

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FDP6N40CF

FAIRCHILDTO-220铁头

9000

25+

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深圳市昊创电子有限公司

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FDP6670AL

FAIRCHILD/仙童TO-220

198

专业铁帽

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深圳市美思瑞电子科技有限公司

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FDP65N06

FAIRCHILD/仙童TO220

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深圳市轩嘉盛电子有限公司FDP6030BL 30V40A TO220 FAIRCHILD MOS管

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FDP6021P功能描述:MOSFET TO-220 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

FDP6030制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET

FDP6030BL功能描述:MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

FDP6030BL_Q功能描述:MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

FDP6030L功能描述:MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

FDP6035AL功能描述:MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

FDP6035AL_Q功能描述:MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

FDP6035L功能描述:MOSFET N-Ch PowerTrench Logic RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

FDP603AL功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

FDP61N20功能描述:MOSFET 200V N-Channel MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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