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FDP2D3N10C_ONSEMI/安森美半导体_N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET盈慧通商城
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 型号
:FDP2D3N10C
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:100
- VGS Max (V)
:4
- VGS(th) Max (V)
:4
- ID Max (A)
:222
- PD Max (W)
:214
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:2.3
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:108
- Ciss Typ (pF)
:7980
- Package Type
:TO-220-3
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