FDP22N50N中文资料功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，500 V，22 A，220 mΩ，TO-220数据手册ONSEMI规格书
FDP22N50N规格书详情
描述 Description
UniFETTM II MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品，基于先进平面条形和 DMOS 技术。 该先进 MOSFET 系列在平面 MOSFET 产品中具有最小的通态电阻，还可提供卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。 此外，内部的栅源 ESD 二极管使 UniFET II MOSFET 产品可承受超过 2kV 的 HBM 冲击应力。 该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。
特性 Features
•RDS(on) = 185mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 11A
•低栅极电荷（典型值 49nC)
•低 Crss（典型值 24pF）
•100% 经过雪崩击穿测试
•提高了 dv/dt 处理能力
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
• PDP TV
• Lighting
• Uninterruptible Power Supplies
• AC-DC Power Supplies
技术参数
- 制造商编号
：FDP22N50N
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：500
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：5
- ID Max (A)
：22
- PD Max (W)
：312.5
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：220
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：49
- Ciss Typ (pF)
：2456
- Package Type
：TO-220-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
13818 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-220 |
64 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO220 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
FSC |
10+ |
TO-220 |
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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FAIRCHILD |
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TO-220 |
38900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
23+ |
TO-220 |
65400 |
询价 | |||
FAIRCHILD |
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ON/安森美 |
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TO-220 |
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只做原装,质量保证 |
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FAI |
24+ |
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FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO220 |
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现货,原厂原装假一罚十! |
询价 |
