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FDP150N10A-F102

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海芯未来半导体电子（深圳）有限公司

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onsemi(安森美)TO-220-3

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FSCTO220

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FAIRCHILD/仙童TO-220

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FDP150N10

FAIRCHILDTO-220

28650

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深圳市宇创芯科技有限公司

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FDP15N40

FAIRCHILD/仙童TO220

9600

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深圳市正纳电子有限公司

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FDP150N10

Fairchild(飞兆/仙童)NA

20094

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原装正品 可支持验货，欢迎咨询

深圳市旺财半导体有限公司

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FDP150N10

FAIRCHILDTO220F

25368

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现代芯城（深圳）科技有限公司

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FDP150N10A-F102

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深圳市达恩科技有限公司

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ONSemiconductorNA

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富凯科技(深圳）有限公司

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深圳市富芯乐电子科技有限公司

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深圳市河锋鑫科技有限公司

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惠芯易购（深圳）科技有限公司

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FDP150N10A功能描述:MOSFET N-CH 100V 50A TO-220-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:PowerTrench® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

FDP150N10A_F102功能描述:MOSFET N-Channel PwrTrench 100V 50A 15mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

FDP15N40功能描述:MOSFET 400V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

FDP15N50功能描述:MOSFET 15a 500V N-Ch SMPS Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

FDP15N65功能描述:MOSFET SINGLE N-CH 500V .38OHM SMPS PWR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

FDP15N65_0610制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:650V N-Channel MOSFET

FDP15N65_0704制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:650V N-Channel MOSFET

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