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FDN302P中文资料翊欧数据手册PDF规格书

FDN302P
厂商型号

FDN302P

功能描述

P-Channel 2.5 V (D-S) MOSFET

丝印标识

302

封装外壳

SOT-23

文件大小

295.31 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 EVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED
企业简称

EVVOSEMI翊欧

中文名称

翊欧半导体官网

原厂标识
EVVOSEMI
数据手册

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更新时间

2025-8-2 15:26:00

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FDN302P规格书详情

General Description

This P-Channel 2.5V has been optimized for power

management applications with a wide range of gate

drive voltage (2.5V – 12V).

Applications

• Power management

• Load switch

• Battery protection

特性 Features

• –20 V, –2.4 A. RDS(ON) = 55m Ω @ VGS = –4.5 V

RDS(ON) = 80 mΩ @ VGS = –2.5 V

• Fast switching speed

• High performance trench technology for extremely

low RDS(ON)

• SuperSOTTM -3 provides low RDS(ON) and 30 higher

power handling capability than SOT23 in the same

footprint

产品属性

  • 型号:

    FDN302P

  • 功能描述:

    MOSFET SSOT-3 P-CH 2.5V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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