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FDN302P中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书

FDN302P
厂商型号

FDN302P

功能描述

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

文件大小

103.44 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

FAIRCHILD仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-1 10:34:00

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FDN302P规格书详情

General Description

This P-Channel 2.5V specified MOSFET uses a rugged gate version of Fairchild’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management

applications with a wide range of gate drive voltage(2.5V – 12V).

特性 Features

• –20 V, –2.4 A. Rds(on)= 0.055 Ω@ Vgs= –4.5 V

Rds(on)= 0.080 Ω@ Vgs= –2.5 V

•Fast switching speed

•High performance trench technology for extremely low Rds(on)

•SuperSOT -3 provides low Rds(on) and 30 higher power handling capability than SOT23 in the same footprint

产品属性

  • 型号:

    FDN302P

  • 功能描述:

    MOSFET SSOT-3 P-CH 2.5V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHI
21+
SOT-23
12588
原装正品,自己库存 假一罚十
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FAIRDHIL
2023+
SOT-23
50000
原装现货
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SOT-23
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SOT-23
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