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HM3669	文件：31.21 Kbytes Page：3 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheHM3669isdesignedforusinginpoweramplifierapplications,powerswitchingapplication.	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
LP3669	文件：764.36 Kbytes Page：8 Pages	BIcIrcularfeedbackcontrolchip	LANDPShenzhen Xinmao Microelectronics Co., Ltd. 芯茂微深圳市芯茂微电子有限公司	LANDP
LP3669CS	文件：679.83 Kbytes Page：7 Pages	BIcIrcularfeedbackcontrolchip	LANDPShenzhen Xinmao Microelectronics Co., Ltd. 芯茂微深圳市芯茂微电子有限公司	LANDP
LP3669FS	文件：616.1 Kbytes Page：7 Pages	BIcIrcularfeedbackcontrolchip	LANDPShenzhen Xinmao Microelectronics Co., Ltd. 芯茂微深圳市芯茂微电子有限公司	LANDP
LT3669	文件：233.13 Kbytes Page：6 Pages	IndustrialTransceiverwithIntegratedStep-DownRegulatorandLDO	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
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MAX3669E/D	文件：666.28 Kbytes Page：15 Pages	3.3V,622MbpsSDH/SONETLaserDriverwithCurrentMonitorsandAPC	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
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MAX3669EHJ	文件：297.57 Kbytes Page：13 Pages	3.3V,622MbpsSDH/SONETLaserDriverwithCurrentMonitorsandAPC	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
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详细参数

型号：
FDMS3669S
功能描述：
MOSFET 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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