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FDMS039N08B

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FDP039N08B

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=171A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=80V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=3.9mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

FDP039N08B

N-ChannelPowerTrenchMOSFET80V,171A,3.9mW

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

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VBSEMI
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更多FDMS039N08B-VB供应商 更新时间2025-7-29 9:01:00