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FDMC6675BZ 分立半导体产品晶体管 - FET,MOSFET - 单个 ONSEMI/安森美半导体

FDMC6675BZ参考图片

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1+
  • 厂家型号:

    FDMC6675BZ

  • 产品分类:

    芯片

  • 生产厂商:

    ON/安森美

  • 库存数量:

    3000

  • 产品封装:

    NA

  • 生产批号:

    20+

  • 库存类型:

    优势库存

  • 更新时间:

    2025-7-31 15:01:00

  • 详细信息
  • 规格书下载

原厂料号:FDMC6675BZ品牌:ON/安森美

FDMC6675BZ是分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个。制造商ON/安森美/onsemi生产封装NA/的FDMC6675BZ晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

  • 芯片型号:

    FDMC6675BZ

  • 规格书:

    下载 下载2

  • 企业简称:

    FAIRCHILD【仙童半导体】详情

  • 厂商全称:

    Fairchild Semiconductor

  • 中文名称:

    飞兆/仙童半导体公司

  • 内容页数:

    7 页

  • 文件大小:

    291.73 kb

  • 资料说明:

    P-Channel Power Trench짰 MOSFET -30 V, -20 A, 14.4 m廓

产品属性

更多
  • 类型

    描述

  • 型号

    :FDMC6675BZ

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-30

  • VGS Max (V)

    :25

  • VGS(th) Max (V)

    :-3

  • ID Max (A)

    :-20

  • PD Max (W)

    :36

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :27

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :14.4

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :87

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :26

  • Ciss Typ (pF)

    :2154

  • Package Type

    :WDFN-8

供应商

  • 企业:

    深圳市芯国创科技有限公司

  • 商铺:

    进入商铺留言

  • 联系人:

    费经理

  • 手机:

    13824359716

  • 询价:
  • 电话:

    075528199452

  • 地址:

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