FDMA1024NZ中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书

厂商型号	FDMA1024NZ
功能描述	Dual N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 20 V, 5.0 A, 54 m廓
文件大小	315.37 Kbytes
页面数量	7 页
生产厂商	Fairchild Semiconductor
企业简称	FAIRCHILD【仙童半导体】
中文名称	飞兆/仙童半导体公司官网
原厂标识
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更新时间	2025-7-1 17:59:00
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FDMA1024NZ规格书详情

General Description

This Single N-Channel MOSFET has been designed using Fairchild Semiconductor’s advanced Power Trench process to optimize the rDS(ON) @ VGS = 1.5 V on special MicroFET leadframe.

Features

■ Max rDS(on) = 23 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 9.5 A

■ Max rDS(on) = 29 mΩ at VGS = 2.5 V, ID = 8.0 A

■ Max rDS(on) = 36 mΩ at VGS = 1.8 V, ID = 4.0 A

■ Max rDS(on) = 50 mΩ at VGS = 1.5 V, ID = 2.0 A

■ HBM ESD protection level > 2.5 kV (Note 3)

■ Low Profile-0.8 mm maximum in the new package MicroFET 2x2 mm

■ RoHS Compliant

Applications

■ Li-lon Battery Pack

产品属性

型号：
FDMA1024NZ
功能描述：
MOSFET 20V Dual N-Channel PowerTrench
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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