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FDM3300NZ中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书

FDM3300NZ
厂商型号

FDM3300NZ

功能描述

Monolithic Common Drain N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

文件大小

460.52 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

FAIRCHILD仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-30 14:07:00

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FDM3300NZ规格书详情

General Description

This dual N-Channel MOSFET has been designed using Fairchild Semiconductors advanced PowerTrench® process to optimize the rDS(on) @ VGS = 2.5V on special MLP lead frame with all the drains on one side of the package.

Features

■ Max rDS(on) = 23mΩ at VGS = 4.5V, ID = 10A

■ Max rDS(on) = 28mΩ at VGS = 2.5V, ID = 9A

■ >2000V ESD protection

■ Low Profile - 1mm maximum - in the new package MLP 3.3x3.3 mm

■ RoHS Compliant

Application

■ Li-lon Battery Pack

产品属性

  • 型号:

    FDM3300NZ

  • 功能描述:

    MOSFET 2.5V N-Ch MOSFET Common Drain

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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