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FDD6N50TM中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书

FDD6N50TM
厂商型号

FDD6N50TM

功能描述

500V N-Channel MOSFET

文件大小

845.65 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

FAIRCHILD仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
FAIRCHILD
数据手册

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更新时间

2025-8-1 18:39:00

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FDD6N50TM规格书详情

描述 Description

UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductor’s high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.

特性 Features

• RDS(on) = 900 mΩ (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 3 A

• Low Gate Charge (Typ. 12.8 nC)

• Low Crss (Typ. 9 pF)

• 100 Avalanche Tested

• Improved dv/dt Capability

Applications

• LCD/LED/PDP TV

• Lighting

• Uninterruptible Power Supply

• AC-DC Power Supply

产品属性

  • 型号:

    FDD6N50TM

  • 功能描述:

    MOSFET 30V/16V 9.5/12MO NCH SINGLE

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD
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