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FDD6N20TF中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书

FDD6N20TF
厂商型号

FDD6N20TF

功能描述

N-Channel MOSFET

文件大小

371.47 Kbytes

页面数量

9

生产厂商

FAIRCHILD Fairchild Semiconductor

中文名称

仙童半导体 飞兆/仙童半导体公司

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数据手册

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更新时间

2025-8-6 18:02:00

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FDD6N20TF规格书详情

描述 Description

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology.

This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficient switched mode power supplies and active power factor correction.

特性 Features

• RDS(on) = 0.6Ω ( Typ. )@ VGS = 10V, ID = 2.3A

• Low gate charge ( Typ. 4.7nC )

• Low Crss ( Typ. 6.3pF )

• Fast switching

• 100 avalanche tested

• Improved dv/dt capability

• RoHS compliant

产品属性

  • 型号:

    FDD6N20TF

  • 功能描述:

    MOSFET 200V N-CH MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
21+
TO252
1709
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VB
25+
DPAK
5000
原装正品,假一罚十!
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24+
TO-252
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只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718
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2017+
TO-252
28562
只做原装正品假一赔十!
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23+
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