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FDP6670AL	文件：332.99 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=6.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDP6670AS	文件：355.9 Kbytes Page：3 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=62A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=8.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDP6670AS	文件：789.57 Kbytes Page：7 Pages	30VN-ChannelPowerTrench짰SyncFET?	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDP6670AS	文件：100.18 Kbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelPowerTrenchSyncFET GeneralDescription ThisMOSFETisdesignedtoreplaceasingleMOSFETandparallelSchottkydiodeinsynchronousDC:DCpowersupplies.This30VMOSFETisdesignedtomaximizepowerconversionefficiency,providingalowRDS(ON)andlowgatecharge.TheFDP6670ASincludesanintegratedSchottkyd	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDP6670AS_NL	文件：100.18 Kbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelPowerTrenchSyncFET GeneralDescription ThisMOSFETisdesignedtoreplaceasingleMOSFETandparallelSchottkydiodeinsynchronousDC:DCpowersupplies.This30VMOSFETisdesignedtomaximizepowerconversionefficiency,providingalowRDS(ON)andlowgatecharge.TheFDP6670ASincludesanintegratedSchottkyd	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDP6670S	文件：93.62 Kbytes Page：5 Pages	30VN-ChannelPowerTrenchSyncFET GeneralDescription ThisMOSFETisdesignedtoreplaceasingleMOSFETandparallelSchottkydiodeinsynchronousDC:DCpowersupplies.This30VMOSFETisdesignedtomaximizepowerconversionefficiency,providingalowRDS(ON)andlowgatecharge.TheFDP6670SincludesanintegratedSchottkydi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDP6670S	文件：355.88 Kbytes Page：3 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=62A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=8.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDS6670	文件：423.79 Kbytes Page：6 Pages	100VN-ChannelMOSFET Features ShieldedGateMOSFETTechnology HBMESDprotectionlevel>6kVtypical(Note4) HighperformancetrenchtechnologyforextremelylowRDS(on) Highpowerandcurrenthandlingcapabilityinawidelyused surfacemountpackage VDS=100V ID(atVGS=10V)4.2A RDS(ON)(atVGS=10V)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
FDS6670A	文件：242.78 Kbytes Page：8 Pages	SingleN-Channel,LogicLevel,PowerTrenchTMMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelLogicLevelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance. Thesedevicesarewellsuitedforlowvoltageand	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS6670A	文件：138.39 Kbytes Page：5 Pages	SingleN-Channel,LogicLevel,PowerTrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

详细参数

型号：
FDD6670A_NL
制造商：
Rochester Electronics LLC
制造商：
Fairchild Semiconductor Corporation

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