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FDD4243中文资料翊欧数据手册PDF规格书

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厂商型号

FDD4243

功能描述

P-Channel MOSFET

丝印标识

FDD4243

封装外壳

TO-252

文件大小

580.97 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

EVVOSEMI

中文名称

翊欧

网址

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数据手册

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更新时间

2026-1-25 8:08:00

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FDD4243规格书详情

特性 Features

High performance trench technology for extremely low rDS(on)

RoHS Compliant

VDS (V) =-40V

RDS(ON) < 44mΩ (VGS =-10V)

RDS(ON) < 64mΩ (VGS =-4.5V)

General Description

This P-Channel MOSFET has been produced technology to

deliver low rDS(on) and optimized Bvdss capability to offer

superior performance benefit in the applications.

Application

Inverter

Power Supplies

产品属性

  • 型号:

    FDD4243

  • 功能描述:

    MOSFET 40V P-Channel PowerTrench? MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
仙童飞兆/FAIRCHILD
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