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FDD3682-F085	文件：368.86 Kbytes Page：12 Pages	N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 32A, 36mΩ Features •rDS(ON)=32mΩ(Typ.),VGS=10V,ID=32A •Qg(tot)=18.5nC(Typ.),VGS=10V •LowMillerCharge •LowQRRBodyDiode •UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse) •QualifiedtoAECQ101 •RoHSCompliant Applications •DC/DCconvertersandOff-LineUPS •Distribut	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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FDD3682-F085

文件：368.86 Kbytes

Page：12 Pages

N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 32A, 36mΩ

Features •rDS(ON)=32mΩ(Typ.),VGS=10V,ID=32A •Qg(tot)=18.5nC(Typ.),VGS=10V •LowMillerCharge •LowQRRBodyDiode •UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse) •QualifiedtoAECQ101 •RoHSCompliant Applications •DC/DCconvertersandOff-LineUPS •Distribut

ONSEMION Semiconductor

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