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FDD20AN06A0	文件：763.28 Kbytes Page：4 Pages	N-channelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=60V,ID=30A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
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FDP20AN06A0	文件：332.06 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=45A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.02Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDP20AN06A0	文件：609.14 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelPowerTrench짰MOSFET60V,45A,20m?	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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更多FDD20AN06A0其他被动元件供应商更新时间2025-7-28 11:00:00

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