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FDD068AN03L	文件：352.2 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID=35A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS=20V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =5.7mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c 文件：352.2 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FDD068AN03L	文件：298.55 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 35A, 6.8m? 文件：298.55 Kbytes 页数：11 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FDD068AN03L	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 30V 35A D-PAK	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDU068AN03L	文件：298.55 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 35A, 6.8m? 文件：298.55 Kbytes 页数：11 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD

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更多FDD068AN03L供应商更新时间2026-1-24 20:06:00