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FDB16AN08A0

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=58A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=75V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=16mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

FDB16AN08A0

N-ChannelPowerTrenchMOSFET75V,58A,16m?

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FDD16AN08A0

N-channelEnhancementModePowerMOSFET

Features VDS=100V,ID=40A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

FDD16AN08A0

N-ChannelUltraFETTrenchMOSFET75V,50A,16m?

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FDP16AN08A0

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

FDP16AN08A0

N-ChannelPowerTrenchMOSFET75V,58A,16m?

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

详细参数

  • 型号:

    FDD16AN08A0_Q

  • 功能描述:

    MOSFET 75V 50a .16Ohms/VGS=1V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多FDD16AN08A0_Q供应商 更新时间2025-7-16 11:08:00