FDC638APZ中文资料P 沟道，PowerTrench® MOSFET，2.5V 指定，-20V，-4.5A，43mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDC638APZ规格书详情
描述 Description
此 P 沟道 2.5V 额定 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 PowerTrench 工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。这些器件非常适合负载开关、电源管理、电池充电电路和 DC/DC 转换等电池电源应用。
特性 Features
•最大值 rDS(ON)=43 mΩ，条件是 VGS=-4.5 V、ID=-4.5 A
•最大值 rDS(ON)=68 mΩ，条件是 VGS=-2.5 V、ID=-3.8 A
•低栅极电荷（典型值8nC）。
•高性能沟道技术可实现极低的 rDS(on)
•SuperSOT™ -6 封装：小尺寸（比标准 SO¨C8 小 72%）超薄（1 mm 厚）。
•符合 RoHS 标准
•采用绿色封装材料生产。
•无卤素
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDC638APZ
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-20
- VGS Max (V)
：12
- VGS(th) Max (V)
：-1.5
- ID Max (A)
：-4.5
- PD Max (W)
：1.6
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：68
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：43
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：9
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：8
- Ciss Typ (pF)
：750
- Package Type
：TSOT-23-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
SOT23-6 |
28048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
ON |
24+ |
SOT23-6 |
5000 |
十年沉淀唯有原装 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
SOT-163 |
3780 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
ON |
24+ |
TSOT-23-6 |
25000 |
ON全系列可订货 |
询价 | ||
ON |
19+ |
SOT23-6 |
920 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
SSOT-6 |
39005 |
FAIRCHILD/仙童全新特价FDC638APZ即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SOT-23-6 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SOT23-6 |
3860 |
原厂原装 |
询价 | ||
ON |
21+ |
SOT23-6 |
12000 |
全新原装公司现货
|
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 |
