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FDC637AN中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,2.5V 指定,20V,6.2A,24mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDC637AN

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,2.5V 指定,20V,6.2A,24mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-29 22:59:00

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FDC637AN规格书详情

描述 Description

此N沟道2.5V额定MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。 与SO-8和TSSOP-8封装的大尺寸不同,这些器件经过专门设计,能以非常小的尺寸提供出色的功耗特性。

特性 Features

•6.2 A,20 V。 RDS(on) = 0.024 Ω @ VGS = 4.5 V, RDS(on) = 0.032 Ω @ VGS = 2.5 V
•快速开关速度。
•低栅极电荷(10.5nC,典型值)。
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)。
•SuperSOT™ -6封装: 小尺寸(比标准SO-8小72%);薄型(1mm厚)。

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDC637AN

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :20

  • VGS Max (V)

    :8

  • VGS(th) Max (V)

    :1.5

  • ID Max (A)

    :6.2

  • PD Max (W)

    :1.6

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :32

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :24

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :8

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :10.5

  • Ciss Typ (pF)

    :1125

  • Package Type

    :TSOT-23-6

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