FDC6333C中文资料N 和 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

这些N和P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。 这些器件经过专门设计，能在极小的空间内实现优异的功率耗散，非常适合那些不宜采用更大更昂贵的SO-8和TSSOP-8封装的应用。

特性 Features

•Q1 2.5 A, 30V
•RDS(on) = 95 mΩ@ VGS = 10 V
•RDS(ON) = 150 mΩ @ VGS = 4.5 V
•Q2 –2.0 A, 30V。
•RDS(on) = 150 mΩ@ VGS = -10 V
•RDS(on) = 220 mΩ @ VGS = -4.5 V
•低栅极电荷
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
•SuperSOT –6封装： 小尺寸（比标准SO-8小72%）；薄型（1mm厚）。

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.